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Vishay Siliconix
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Vishay Siliconix SQD100N02-3M5L_GE3
| Artikelnummer: | SQD100N02-3M5L_GE3 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 20V 100A TO252AA |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $1.60 |
| 10+ | $1.431 |
| 100+ | $1.1157 |
| 500+ | $0.9217 |
| 1000+ | $0.7277 |
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- Spezifikationen
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- Verpackung
-
Vishay Siliconix SQD100N02-3M5L_GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SQD100N02-3M5L_GE3.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse TO-252AA Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5mOhm @ 30A, 10V Verlustleistung (max) 83W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5500 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Tc) Grundproduktnummer SQD100 SQD100N02-3M5L_GE3 Einzelheiten PDF [English] SQD100N02-3M5L_GE3 PDF - EN.pdf -
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